燒結(jié)銀助力800G光模塊助推元宇宙

現(xiàn)在光模塊生產(chǎn)廠商將800G光模塊列為重點(diǎn)研發(fā)對(duì)象，光模塊在提供強(qiáng)大功能的同時(shí)，其自身的功耗以及與之相關(guān)的發(fā)熱量也急劇增加。加上空間的緊湊性、可多次插拔的要求，以及可控的溫度管理，給光模塊的散熱帶來了挑戰(zhàn)。

為了確保光模塊的散熱問題，除了整體的設(shè)計(jì)工藝外，導(dǎo)熱材料的選取也是極其重要的因素。眾所周知，光模塊的核心器件為光芯片，而當(dāng)前光模塊處于飛速發(fā)展的階段，隨著傳輸速率越來越高，要保證光模塊在一定傳輸距離及諸多惡劣工況條件下仍保持穩(wěn)定工作性能，光芯片就需要工作在一定的溫度范圍內(nèi)。需要使用SHAREX可壓縮的高導(dǎo)熱材料，將熱量快速的傳導(dǎo)到外殼上。

另一個(gè)發(fā)熱量大的部位，光器件（TOSA和ROSA）根據(jù)不同的封裝方式也需要使用SHAREX低出油低熱阻的導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱凝膠，避免長(zhǎng)期工作狀態(tài)下硅油溢出導(dǎo)致光模塊性能下降。此外，為了使熱量能夠快速?gòu)墓饽K外殼傳導(dǎo)至籠子，可以在插拔的位置選用導(dǎo)熱復(fù)合材料（相變材料加PI膜復(fù)合）。

而且800g光模塊多數(shù)采用電吸收調(diào)制激光器（EML激光器），此種激光器的特點(diǎn)為對(duì)溫度極其敏感，只能在*的工作溫度范圍內(nèi)才能發(fā)揮其有效的性能，因此此種激光器通常需要加熱電制冷器來控制其溫度。

800G光模塊緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，不斷增大的激光器和驅(qū)動(dòng)芯片功率，對(duì)散熱提出了更高的挑戰(zhàn)。電子互聯(lián)材料是連接半導(dǎo)體晶體管和元器件的關(guān)鍵材料，起到導(dǎo)電和導(dǎo)熱的作用，影響元器件電路導(dǎo)通、功能實(shí)現(xiàn)及穩(wěn)定性。

SHAREX燒結(jié)銀技術(shù)通過中高溫使納米銀表面原子互相擴(kuò)散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。AS9200和AS9300加入納米級(jí)銀顆粒的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對(duì)于第三代半導(dǎo)體高功率器件的電子互聯(lián)應(yīng)用。

善仁新材為三代半芯片粘接提供了三種無鉛(LEAD FREE)的替代方案，分別為無壓半燒結(jié)納米銀膠，無壓全燒結(jié)納米銀膠和有壓燒結(jié)銀三個(gè)產(chǎn)品系列，三打產(chǎn)品系列全部適用于高功率密度半導(dǎo)體封裝, 并且產(chǎn)品全部符合RoHS要求。

1 導(dǎo)熱系數(shù)范圍：25W/mK-270W/ mK不等；

2 在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）-0.5K/W；

3 無需高溫壓力，在160度至240度溫度范圍下低溫?zé)Y(jié)并且粘接力穩(wěn)定。在銀、銅、鎳鈀金、金等多種材質(zhì)的界面下適用更寬泛的芯片粘結(jié)尺寸：從1*1mm至90*90mm（Die Size）不等；

4 高粘結(jié)強(qiáng)度：根據(jù)材質(zhì)和燒結(jié)條件不同，剪切強(qiáng)度從3-15公斤不等。